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碳化硅SiC阵列探测器

       碳化硅SiC探测器与气体探测器相比,具有能量分辨率高、时间响应快、线性范围宽、体积小、工作电压较低等优点。宽禁带半导体探测器长期以来受到科研工作者的青睐,特别以半导体SiC制作的探测器,可解决高温、强辐射环境下的核辐射探测问题。4H-SiC晶体结构属于闪锌矿立方结构,具有禁带宽大(Eg=3.26eV)、电子空穴迁移率高、暗电流小、热传导系数高、原子离位能大、高硬度以及耐击穿电压高等优点,良好的物理特性和化学稳定性使得制作的碳化硅SiC探测器在抗高温、抗辐射、抗腐蚀、耐高击穿电压等方面的性能非常优越。可广泛应用于军工、核能、电子、航天等领域。


碳化硅SiC探测器.pdf





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