成都晶威科技有限公司开发研制的钝化离子注入平面硅PIPS探测器是现代半导体工艺产品。在大多数应用中，这种探测器已经取代了硅表面位垒探测器(SSB)器和扩散结型探测器(DJ)。

       PIPS探测器与硅表面位垒探测器(SSB)和扩散结型探测器(DJ)类型相比，PIPS探测器具有很多优势：

      1.所有结构边缘均埋置在内部-不需要使用环氧封边剂。

      2.为了获得更好的能量分辨率，连接触点通过离子注入精确形成的，且更薄。

      3.入射窗坚固耐用，可方便清洗擦拭。

      4.漏电流一般为硅表面位垒探测器(SSB)和扩散结型探测器(DJ)的1/8到1/100。

      5.入射窗(死层)厚度小于相应的硅表面位垒探测器(SSB)或扩散结型探测器(DJ)。

      6.标准探测器可烘烤至100℃。

      PIPS探测器采用平面工艺,利用光刻技术来确定探测器的几何形状。通过精确控制氧化物钝化，离子注入用于控制形成精确的连接,这对于低反向漏电流和更薄的入射窗是非常必要的。光刻技术适用于任何直径为80mm的几何图形。

       离子注入触点的电阻率可被精确控制,从而产生更薄的入射窗(<50 nm)的位置敏感探测器。

       PIPS探测器与硅表面位垒探测器(SSB)不同的是,硅表面位垒探测器(SSB)的原始结边是环氧树脂密封的,以达到某种程度的稳定性，而PIPS探测器的结构边缘都埋在探测器内部。通过改变封装结构形式有三个主要优点:1)PIPS探测器的稳定性不依赖于环氧密封胶;2)微等离子体击穿的风险很小,不会对PIPS探测器造成影响;3)漏电流仅为硅表面位垒探测器(SSB)或扩散结型探测器(DJ)的一小部分。

钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）.pdf